2024年2月21日，利揚芯片全資子公司利陽芯（東莞）微電子有限公司舉行開業(yè)儀式。東莞市東城街道辦事處副主任李淦球先生、東城街道經(jīng)濟發(fā)展局副主任李國華先生、東城街道同沙社區(qū)書記鐘漢良先生、副書記謝錦富先生、東城投資促進中心副主任兼科技工業(yè)園負責人盧志君先生等嘉賓出席儀式，并與公司管理團隊共同為 “利陽芯”隆重揭幕。

利陽芯項目已入選東莞市2023年重大建設項目，近期已成功完成晶圓減薄、拋光，激光開槽，激光隱切等系列技術工藝的調(diào)試并將進入量產(chǎn)階段。

利陽芯在晶圓減薄、拋光技術工藝方面，目前可提供業(yè)內(nèi)最高標準的超薄晶片減薄加工技術服務。采用全自動研削拋光機，實現(xiàn)背面研削和去除應力的一體化作業(yè)，可穩(wěn)定地實施厚度在25μm以下的薄型化加工。

利陽芯在激光開槽技術工藝方面，采用非接觸的激光加工去除晶圓切割道表面的金屬布線層，支持晶圓的開槽和全切工藝，激光開槽寬度20-120μm連續(xù)可調(diào)，開槽深度可達26-30μm，有較好的槽型和深度穩(wěn)定性，適用于切割道存在多金屬、厚金、Low-K、鈍化層等多種情況。激光開槽工藝技術解決常規(guī)刀片切割帶來的崩邊、金屬卷邊和金屬殘留等異常及正面鈍化層破裂的品質(zhì)問題，避免芯片產(chǎn)品存在可靠性風險。

利陽芯擁有業(yè)內(nèi)領先的無損內(nèi)切激光隱切技術。隱形切割是將激光聚焦于晶圓內(nèi)部以形成改質(zhì)層，配合擴片將晶圓分割成die（裸片/裸晶）的切割方法。該技術可適用于加工最窄20μm切割道的晶圓，（標準劃片道由60μm縮小至20μm），提升晶圓芯片面積的利用率，提高Gross dies的數(shù)量，預計降低芯片成本最大可達30%以上。激光隱切技術可取代很多傳統(tǒng)金剛石水切工藝無法解決的技術難題。

另外，激光隱切屬于干式環(huán)保工藝，無損內(nèi)切在加工品質(zhì)上的優(yōu)勢如下：（1）可以抑制加工碎屑的產(chǎn)生，抗污，防止芯片的正背面崩邊和側(cè)崩，有效避免對芯片線路的損傷；（2）隱切對正面鈍化層的保護更加完好，污染、微粒粘附、PAD氧化等影響鍵合難題均可以得到有效的解決，從而保證客戶芯片產(chǎn)品穩(wěn)定的品質(zhì)和良率，對高可靠性芯片包括特種芯片更是提升品質(zhì)的最佳解決方案。

公司目前具備晶圓減薄、拋光，激光開槽，激光隱切等系列技術工藝的服務能力，隨著該等系列技術工藝量產(chǎn)，進一步豐富了公司技術服務的類型，滿足全系列晶圓切割需求，有助于協(xié)同集成電路測試業(yè)務發(fā)展，提升公司的核心競爭力和市場地位，服務更多優(yōu)質(zhì)客戶，預計對公司未來的市場拓展和業(yè)績成長產(chǎn)生積極的影響。